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徐州光芯半导体有限责任公司招聘研发经理,资深研发工程师,研发工程师
时间:2026-06-24 浏览:11次
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徐州光芯半导体有限责任公司成立于半导体产业蓬勃发展的时代,是一家专注于第三代半导体SiC、超结MOS功率器件IDM公司。
公司研发团队核心成员来自国际知名行业头部企业,拥有40年以上的芯片设计及产业化经验,公司核心成员还拥有晶圆厂量产制造经验,具备深厚的技术积累和市场洞察力。光芯半导体已建立起完整的研发、制造、封装、销售体系 ,并持续推动碳化硅及氮化镓国产化进程。目前,公司产品已在新能源车、光伏储能等领域形成系统性成本优势,并加速向全球市场拓展。
招聘岗位
1、研发经理
任职资格:
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位。
2.具备半导体或电力电子研发经验。
3.熟悉SiC、MOSFET或IGBT组件。
4.具备团队管理与项目管理经验。
5.良好英文能力。
加分条件:
1.具备SiC组件开发经验。
2.熟悉晶圆制程或封装技术。
3.具备TCAD或电性模拟经验。
岗位职责:
1.领导与管理研发团队,分配资源并确保项目执行。
2.主导功率半导体产品(SiC MOSFET、IGBT、二极管)开发。
3.与晶圆厂及外包厂商协作,确保产品可量产性。
4.推动新产品导入(NPI),确保时程、质量与成本目标。
5.支持技术问题分析与产品优化。
薪资范围:
20k—40k/月
2、资深研发工程师
任职资格:
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位。
2.具备功率半导体器件研发经验5年以上(SiC 优先)。
3.熟悉MOSFET/IGBT器件物理与设计。
4.具备TCAD或器件模拟经验。
5.熟悉可靠度与失效机制。
6.良好英文能力。
加分条件:
1.具备SiC trench MOSFET设计经验。
2.熟悉氧化层可靠度与缺陷机制。
3.具备wafer fab或制程整合经验。
岗位职责:
1.设计与优化功率组件(SiC MOSFET、IGBT、二极管)。
2.开发与评估不同结构(trench / planar)与cell architecture。
3.优化关键参数(Rds(on)、Rsp、cell density、switching performance)。
4.分析与提升器件可靠度(gate oxide reliability、HTRB、HTGB、TDDB)。
5.评估ruggedness(UIS、avalanche、short-circuit capability)。
6.进行TCAD模拟与电性建模(SPICE)。
7.与晶圆厂合作进行制程整合与良率优化。
8.支持产品导入与失效分析。
薪资范围:
15k—35k/月
3、研发工程师
任职资格:
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位,应届生也可以。
2.熟悉MOSFET / IGBT器件物理与设计。
3.良好英文能力。
加分条件:
1.具备TCAD或器件模拟经验。
2.熟悉可靠度与失效机制。
岗位职责:
1.设计与优化功率组件(SiC MOSFET、IGBT、二极管)。
2.开发与评估不同结构(trench / planar)与cell architecture。
3.优化关键参数(Rds(on)、Rsp、cell density、switching performance)。
4.分析与提升器件可靠度(gate oxide reliability、HTRB、HTGB、TDDB)。
5.评估ruggedness(UIS、avalanche、short-circuit capability)。
6.进行TCAD 模拟与电性建模(SPICE)。
7.与晶圆厂合作进行制程整合与良率优化。
8.支持产品导入与失效分析。
薪资范围:
7k—15k/月
福利待遇
五险一金,周末双休,法定节假日,餐补,人才公寓。
联系方式
联系人:李淑芹
联系电话:18464325730
公司地址:淄博高新区中润大道MEMS产业园区158号9号楼
联系时,请说明在“
淄博信息港(zbxxg.cn)
”看到的,谢谢!
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🕒发布时间:
2026-06-24
⚠️有效期
90天
📂信息分类:
招聘
🏠地区:
张店
👤信息作者:
游客
📖信息说明:
信息由网友发布,与淄博信息港立场无关!
🏷️信息标签:
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