徐州光芯半导体有限责任公司成立于半导体产业蓬勃发展的时代，是一家专注于第三代半导体SiC、超结MOS功率器件IDM公司。
公司研发团队核心成员来自国际知名行业头部企业，拥有40年以上的芯片设计及产业化经验，公司核心成员还拥有晶圆厂量产制造经验，具备深厚的技术积累和市场洞察力。光芯半导体已建立起完整的研发、制造、封装、销售体系 ，并持续推动碳化硅及氮化镓国产化进程。目前，公司产品已在新能源车、光伏储能等领域形成系统性成本优势，并加速向全球市场拓展。
招聘岗位
1、研发经理
任职资格：
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位。
2.具备半导体或电力电子研发经验。
3.熟悉SiC、MOSFET或IGBT组件。
4.具备团队管理与项目管理经验。
5.良好英文能力。
加分条件：
1.具备SiC组件开发经验。
2.熟悉晶圆制程或封装技术。
3.具备TCAD或电性模拟经验。
岗位职责：
1.领导与管理研发团队，分配资源并确保项目执行。
2.主导功率半导体产品（SiC MOSFET、IGBT、二极管）开发。
3.与晶圆厂及外包厂商协作，确保产品可量产性。
4.推动新产品导入（NPI），确保时程、质量与成本目标。
5.支持技术问题分析与产品优化。
薪资范围：
20k—40k/月
2、资深研发工程师
任职资格：
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位。
2.具备功率半导体器件研发经验5年以上（SiC 优先）。
3.熟悉MOSFET/IGBT器件物理与设计。
4.具备TCAD或器件模拟经验。
5.熟悉可靠度与失效机制。
6.良好英文能力。
加分条件：
1.具备SiC trench MOSFET设计经验。
2.熟悉氧化层可靠度与缺陷机制。
3.具备wafer fab或制程整合经验。
岗位职责：
1.设计与优化功率组件（SiC MOSFET、IGBT、二极管）。
2.开发与评估不同结构（trench / planar）与cell architecture。
3.优化关键参数（Rds(on)、Rsp、cell density、switching performance）。
4.分析与提升器件可靠度（gate oxide reliability、HTRB、HTGB、TDDB）。
5.评估ruggedness（UIS、avalanche、short-circuit capability）。
6.进行TCAD模拟与电性建模（SPICE）。
7.与晶圆厂合作进行制程整合与良率优化。
8.支持产品导入与失效分析。
薪资范围：
15k—35k/月
3、研发工程师
任职资格：
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位，应届生也可以。
2.熟悉MOSFET / IGBT器件物理与设计。
3.良好英文能力。
加分条件：
1.具备TCAD或器件模拟经验。
2.熟悉可靠度与失效机制。
岗位职责：
1.设计与优化功率组件（SiC MOSFET、IGBT、二极管）。
2.开发与评估不同结构（trench / planar）与cell architecture。
3.优化关键参数（Rds(on)、Rsp、cell density、switching performance）。
4.分析与提升器件可靠度（gate oxide reliability、HTRB、HTGB、TDDB）。
5.评估ruggedness（UIS、avalanche、short-circuit capability）。
6.进行TCAD 模拟与电性建模（SPICE）。
7.与晶圆厂合作进行制程整合与良率优化。
8.支持产品导入与失效分析。
薪资范围：
7k—15k/月
福利待遇
五险一金，周末双休，法定节假日，餐补，人才公寓。
联系方式
联系人：李淑芹
联系电话：18464325730
公司地址：淄博高新区中润大道MEMS产业园区158号9号楼